Name: Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés)
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Author: John E. Ayers; Tedi Kujofsa; Paul Rago; Johanna Raphael
ISBN: 9780367655808

portada Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés)

Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Crc Press

Autor

John E. Ayers; Tedi Kujofsa; Paul Rago; Johanna Raphael

Idioma

Inglés

N° páginas

643

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9780367655808

N° edición

Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés)

John E. Ayers; Tedi Kujofsa; Paul Rago; Johanna Raphael (Autor) · Crc Press · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés)"

In the past ten years, heteroepitaxy has continued to increase in importance with the explosive growth of the electronics industry and the development of a myriad of heteroepitaxial devices for solid state lighting, green energy, displays, communications, and digital computing. Our ever-growing understanding of the basic physics and chemistry underlying heteroepitaxy, especially lattice relaxation and dislocation dynamic, has enabled an ever-increasing emphasis on metamorphic devices. To reflect this focus, two all-new chapters have been included in this new edition. One chapter addresses metamorphic buffer layers, and the other covers metamorphic devices. The remaining seven chapters have been revised extensively with new material on crystal symmetry and relationships, III-nitride materials, lattice relaxation physics and models, in-situ characterization, and reciprocal space maps.