Name: Bsim-Bulk Mosfet Model for IC Design - Digital, Analog, RF and High-Voltage (en Inglés)
SKU: 56345866
Price: 685.56 PEN
Availability: InStock
Author: Hu, Chenming ; Agarwal, Harshit ; Gupta, Chetan
ISBN: 9780323856775

portada Bsim-Bulk Mosfet Model for IC Design - Digital, Analog, RF and High-Voltage (en Inglés)

Bsim-Bulk Mosfet Model for IC Design - Digital, Analog, RF and High-Voltage (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Editorial

Idioma

Inglés

N° páginas

270

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x1.4 cm

Peso

0.37 kg.

ISBN13

9780323856775

Categorías

Industrias manufactureras
Ciencia de materiales
Ingeniería electrónica

Bsim-Bulk Mosfet Model for IC Design - Digital, Analog, RF and High-Voltage (en Inglés)

Chenming Hu (Autor) · Harshit Agarwal (Autor) · Chetan Gupta (Autor) · Woodhead Publishing · Tapa Blanda

Más barato Libro Nuevo Importado

Envío: 19 a 25 días háb.

S/ 1.523,47S/ 685,56

-55%

Más rápido Libro Nuevo Importado

Envío: 14 a 19 días háb.

S/ 2.074,86S/ 933,69

-55%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo Más barato

Quedan 100 unidades

S/ 685,56

Llega entre el 13 Oct y el 22 Oct a CERCADO DE LIMA, Lima. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Bsim-Bulk Mosfet Model for IC Design - Digital, Analog, RF and High-Voltage (en Inglés)"

BSIM-Bulk MOSFET Model for IC Design - Digital, Analog, RF and High-Voltage provides in-depth knowledge of the internal operation of the model. The authors not only discuss the fundamental core of the model, but also provide details of the recent developments and new real-device effect models. In addition, the book covers the parameter extraction procedures, addressing geometrical scaling, temperatures, and more. There is also a dedicated chapter on extensive quality testing procedures and experimental results. This book discusses every aspect of the model in detail, and hence will be of significant use for the industry and academia. Those working in the semiconductor industry often run into a variety of problems like model non-convergence or non-physical simulation results. This is largely due to a limited understanding of the internal operations of the model as literature and technical manuals are insufficient. This also creates huge difficulty in developing their own IP models. Similarly, circuit designers and researcher across the globe need to know new features available to them so that the circuits can be more efficiently designed.