Name: Techniki radzenia sobie z wyciekiem w ostatnim etapie i dynamicznym spadkiem IR (en Polaco)
Price: 224.71 PEN
Availability: InStock
Author: S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala
ISBN: 9786209330452

portada Techniki radzenia sobie z wyciekiem w ostatnim etapie i dynamicznym spadkiem IR (en Polaco)

Techniki radzenia sobie z wyciekiem w ostatnim etapie i dynamicznym spadkiem IR (en Polaco)

Formato

Libro Físico

Editorial

Wydawnictwo Nasza Wiedza

Autor

S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala

Idioma

Polaco

N° páginas

108

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 0.7 cm

ISBN13

9786209330452

Techniki radzenia sobie z wyciekiem w ostatnim etapie i dynamicznym spadkiem IR (en Polaco)

S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala (Autor) · Wydawnictwo Nasza Wiedza · Tapa Blanda

Más barato Libro Nuevo Importado

Envío: 20 a 25 días háb.

S/ 499,36S/ 224,71

-55%

Más rápido Libro Nuevo Importado

Envío: 12 a 17 días háb.

S/ 529,76S/ 238,39

-55%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo Más barato

Quedan 10 unidades

S/ 224,71

Llega entre el 20 Jul y el 31 Jul a CERCADO DE LIMA, Lima. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Techniki radzenia sobie z wyciekiem w ostatnim etapie i dynamicznym spadkiem IR (en Polaco)"

W niniejszej monografii omówiono problemy związane z mocą rozpraszaną, integralnością zasilania spowodowaną zapasowymi ogniwami oraz szczytowym spadkiem IR. Zakres proponowanego rozwiązania obejmuje poziom projektowania fizycznego zbliżony do zamknięcia projektu, gdzie narzędzia optymalizacyjne mają ograniczone zasoby do rozwiązania tych problemów. Istnieje jednak wiele możliwości dalszych prac w innych obszarach o niskim spektrum PM, takich jak poziom obwodów, poziom architektury, poziom projektowania i poziom kodowania oprogramowania. Większośc wspólczesnych projektantów pólprzewodników nie jest zainteresowana najnowszymi technikami, takimi jak przeplywy ECO macierzy bramek przy użyciu zestawów ECO dostarczanych przez dostawców bibliotek, ze względu na wysilek związany z modyfikacją istniejących przeplywów i napięte harmonogramy projektowania. Proponowana technika "optymalnego przypisywania stanów" może pomóc w zmniejszeniu uplywu energii w komórkach zapasowych bez wplywu na przeplywy projektowe, ale przejście na te nowe techniki pomoże w calkowitej redukcji uplywu energii w komórkach zapasowych. Innym możliwym obszarem przyszlych badań jest wykorzystanie bibliotek 65 nm, 45 nm, 32 nm i 28 nm do implementacji różnych architektur o intensywnym przeplywie danych w celu walidacji proponowanej techniki "selektywnej redukcji zaklóceń".